Tecnología de procesamiento térmico rápido (RTP): superando los cuellos de botella del proceso de semiconductores
En la fabricación de semiconductores,Procesamiento térmico rápido (RTP)se ha convertido en una herramienta fundamental para lograr avances en el rendimiento de los dispositivos y optimizar los procesos. En comparación con los procesos tradicionales de horno de alta temperatura, el RTP utiliza unModo de funcionamiento de una sola obleay control térmico preciso, resolviendo de manera efectiva los desafíos técnicos del control de presupuesto térmico, la formación de uniones ultra superficiales y la consistencia del proceso en nodos avanzados.
A medida que los procesos de semiconductores avanzan hacia5 nm e menos, el tamaño de las características de los dispositivos sigue reduciéndose, y la demanda deTratamiento térmico de alta precisiónse vuelve más crítico.Smartnobleofrece soluciones de tecnología RTP diseñadas para satisfacer las necesidades de la producción moderna de semiconductores, ayudando a los clientes a mantener la competitividad en un mercado en rápida evolución.
Ventajas e innovaciones de la tecnología RTP
- Tasas de cambio de temperatura ultrarrápidas
RTPusosLámparas halógenas de alta potencia o calefacción láser, logrando velocidades de calentamiento y enfriamiento de más de 250 °C/s, superando con creces los procesos de horno tradicionales, que operan a 5-10 °C/s. El rápido calentamiento y enfriamiento garantiza una alta precisión del proceso al tiempo que acorta significativamente los ciclos de producción. - Control térmico preciso
Equipado conSensores de temperatura infrarrojosy un sistema de retroalimentación de circuito cerrado,Tecnología RTPAlcanzauniformidad de temperatura de ±1 °C (3σ)a través de la oblea y admite el control dinámico de la temperatura en un amplio rango de 400-1400 °C, lo que mejora en gran medida la consistencia del proceso. - Diseño de bajo estrés térmico
Utilizando unEstructura de soporte de cuarzo de 3 puntosen un entorno de vacío o baja presión,RTPMinimiza la resistencia de contacto térmico, eliminando la interferencia de disipación de calor por convección y reduciendo el estrés térmico en las obleas, lo que garantiza dispositivos semiconductores de alta calidad. - Control de presupuesto térmico mejorado
RTPLa tecnología logra un presupuesto térmico de menos de 10 °C, suprimiendo eficazmente la difusión de impurezas a través deRecocido pulsado a nivel de milisegundos, y es particularmente adecuado para la activación de uniones ultra superficiales y procesos de formación de siliciuro metálico.
Aplicaciones típicas de la tecnología RTP
- Activación de impurezas de unión ultra superficial
Para la implantación de iones de ultra baja energía (<1keV),RTPLogra unTasa de activación de impurezas del >95%con recocido a nivel de milisegundos, al tiempo que se limita laDifusión mejorada transitoria (TED)efecto a menos de 2 nm, mitigando los efectos de canal corto. - Formación de siliciuro metálico
EnFormación de siliciuro de Ni/Co, RTPutiliza un proceso de dos pasos (nucleación a 500 °C + aleación a 850 °C) para formarCapas de siliciuro con baja resistividad (<10μΩ·cm)y unReducción del 60% en la rugosidad de la interfazen comparación con los procesos de horno tradicionales. - Tratamiento térmico de la capa dieléctrica
ParaProcesos de reflujo de vidrio de fosfosilicato (PSG), RTPemplea una rampa de temperatura escalonada (400 °C → 600 °C → 900 °C), lo que aumenta la capacidad de relleno de huecos en3 vecesy controlandoEfectos de la penetración del boroa menos de 0,5 nm/s. - Ingeniería Avanzada de Puertas
EnPuerta metálica de alta k (HKMG)ProcesosRTPse utiliza paraActivar el nitrógeno de la interfazy paraRecocido rápido post-deposición de compuerta metálica, garantizando una óptimaespesor de óxido equivalente (EOT)y minimizar la corriente de fuga de la compuerta.
Soluciones tecnológicas RTP de Smartnoble
Como proveedor líder de equipos semiconductores,Smartnoblese dedica a proporcionarSoluciones avanzadas de tecnología RTP. NuestroEquipos RTPAdmite una amplia gama de aplicaciones, entre las que se incluyenActivación de uniones ultra superficiales, formación de siliciuro metálicoyTratamiento térmico de la capa dieléctrica, ayudando a los clientes a mejorar la eficiencia y la calidad de la producción en procesos avanzados de semiconductores.Equipos RTP de SmartnobleCaracterísticas de alto rendimiento, confiabilidad y bajo consumo de energía, ampliamente utilizado en la fabricación de semiconductores a5 nm e menosNodos de proceso. Nuestro equipo está comprometido con la innovación continua, abordando los desafíos deFabricación de semiconductores de próxima generación.
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